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[오프닝]
삼성전자가 또 한 번 반도체 역사를 새로 쓰고 있습니다.
무려 세계 최초로 900단 클래스 V낸드 시제품 구현에 성공하면서 ‘1000단 낸드 시대’에 가장 먼저 다가섰습니다.

[본문1]
낸드플래시는 AI 서버와 스마트폰, 데이터센터 SSD에 들어가는 핵심 메모리인데요.
단수를 높게 쌓을수록 더 많은 데이터를 저장할 수 있고 전력 효율도 크게 좋아집니다.

현재 양산 최고 수준은 SK하이닉스의 321단 낸드인데요.
삼성전자는 연구 단계에서 단숨에 900단 고지까지 올라서며 차세대 시장 주도권 경쟁에 불을 붙였습니다.

[본문2]
핵심은 ‘셀 멀티 본딩’, CMB 기술입니다.
450단 웨이퍼 두 장을 하나처럼 접합해 900단 구조를 구현한 건데요.
삼성전자는 실제 정상 동작까지 검증했다고 밝혔습니다.

특히 초고단 적층에서 가장 큰 문제였던 웨이퍼 휨 현상과 미세 정렬 오류까지 독자 기술로 해결했습니다.

[본문3]
시장에서는 이번 기술을 단순한 적층 경쟁이 아니라
‘반도체 공정 패러다임을 바꾸는 기술’이라고 평가하고 있습니다.

중국 YMTC가 300단급 낸드 양산을 추진하며 추격 중인 상황에서
삼성전자는 초격차 기술력으로 다시 한 번 기술 리더십을 증명한 셈입니다.

[마무리]
AI 시대가 본격화될수록 고용량·고효율 메모리 경쟁은 더욱 치열해질 전망인데요.
삼성전자의 900단 V낸드가 글로벌 반도체 시장 판도를 어떻게 바꿀지 관심이 집중되고 있습니다.

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