إثبات مفهوم 3D X-DRAM: بديل HBM بكثافة 10× وتصميم ذاكرة عالي العائد

تقنية 3D X-DRAM الجديدة من NEO تعد بذاكرة أعلى كثافة بـ10 مرات من DRAM التقليدية، مع أداء سريع وكفاءة طاقة أفضل، ومناسبة للذكاء الاصطناعي. يمكن تصنيعها بسهولة باستخدام بنية NAND الحالية، وقد نجحت في الاختبارات الأولية لكنها لم تصل للإنتاج بعد.

Видео إثبات مفهوم 3D X-DRAM: بديل HBM بكثافة 10× وتصميم ذاكرة عالي العائد канала Saeb Masarwa - صائب مصاروة