Intel показала “посткремниевое” будущее: 2D-транзисторы на 300 мм уже реальны!

Intel Foundry вместе с imec показали реальный технологический путь к “посткремниевым” чипам — 2D-полевые транзисторы (2DFET), совместимые с производством на 300-мм пластинах. До этого 2D-транзисторы годами существовали в лабораториях, но не проходили главный тест: технологичность, масштабируемость и повторяемость, которые нужны фабрике.

Почему это важно? Сегодня индустрия идёт по лестнице GAA → CFET, но дальше кремниевые каналы могут упереться в физические ограничения: ухудшается электростатический контроль и подвижность носителей из-за экстремальных размеров. 2D-материалы (атомарно тонкие каналы) — один из главных кандидатов, чтобы продолжить масштабирование.

В этой работе Intel и imec использовали TMD-материалы:
— WS2 и MoS2 для транзисторов n-типа
— WSe2 для каналов p-типа

Ключевой прорыв — не “красивый материал”, а схема интеграции контактов и затворного стека, совместимая с производственными процессами: выращивание качественных 2D-кристаллов, многослойный стек оксидов (Al2O3 / HfO2 / SiO2) и аккуратное селективное травление, чтобы не разрушить хрупкий 2D-канал и получить масштабируемые контакты с низким сопротивлением.

Это не “завтра в продаже”, но огромный шаг к чипам в 2030–2040-х, потому что технология начинает жить в реальности фабрики, а не в идеальных условиях лаборатории.

#Intel #imec #IntelFoundry #полупроводники #чипы #транзисторы #2Dматериалы #2DFET #GAA #CFET #нанотехнологии #WS2 #MoS2 #WSe2 #300мм #микроэлектроника #техпроцессы #железобудущего #AIhardware #XenonLab

Видео Intel показала “посткремниевое” будущее: 2D-транзисторы на 300 мм уже реальны! канала Xenon Lab | Наука & Технологии