Hiệu ứng Ăng-ten (Phá hủy lớp oxide trong quá trình chế tạo)

Hiệu ứng ăng-ten xảy ra trong quá trình chế tạo vi mạch khi một đoạn dây kim loại dài được kết nối với cổng của transistor nhưng chưa kết nối với nguồn.
Trong lúc khắc etching hoặc lắng đọng, điện tích có thể tích tụ lại, dẫn đến:

Phá hỏng lớp oxide cổng do điện áp cao bất ngờ.

Ảnh hưởng đến độ tin cậy và tuổi thọ của vi mạch.

DFM (Design for Manufacturability) đưa ra các quy tắc để phát hiện và xử lý hiệu ứng này, ví dụ như thêm diode bảo vệ hoặc thay đổi đường đi kim loại.

Видео Hiệu ứng Ăng-ten (Phá hủy lớp oxide trong quá trình chế tạo) канала JI - RADIO