TRUMPF EUV lithography – This all happens in one second
Further information: http://www.trumpf.com/s/euv
With the increasing global digitalization, requirements for computer performance continue to grow. The result: Chips have to be smaller and more efficient, which is why many more transistors have to fit on semiconductors. With EUV lithography, TRUMPF, in partnership with ASML and Zeiss, has developed a cost-efficient and mass-suitable process, during which the wafers are exposed to extreme ultraviolet (EUV) light at a wavelength of 13,5 nanometers. By this means, efficiency and profitability of production for chip manufacturers are increased. TRUMPF produces the laser pulse for the process, which is needed for the generation of EUV radiation. Therefore we developed an own, pulse-capable high-performance CO2 laser system – the TRUMPF Laser Amplifier.
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Weitere Informationen: http://www.trumpf.com/s/euv
Mit der zunehmenden Digitalisierung der Welt steigen die Anforderungen an die Computerleistung unaufhörlich. Die Folge: Die Chips müssen leistungsfähiger und kleiner werden, weshalb auf den Halbleitern immer mehr Transistoren Platz finden müssen. Mit der EUV-Lithografie hat TRUMPF partnerschaftlich mit ASML und Zeiss ein kosteneffizientes und massenfähiges Verfahren entwickelt, bei dem durch extrem ultraviolettes (EUV-) Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern die Wafer belichtet werden. Für die Chiphersteller erhöhen sich auf diese Weise die Effizienz und Wirtschaftlichkeit ihrer Produktion. TRUMPF erzeugt für den Prozess den Laserpuls, der für die Generierung der EUV-Strahlung benötigt werden. Hierfür hat das Unternehmen ein eigenes pulsfähigen Höchstleistungs-CO2-Lasersystem entwickelt - den TRUMPF Laser Amplifier.
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With the increasing global digitalization, requirements for computer performance continue to grow. The result: Chips have to be smaller and more efficient, which is why many more transistors have to fit on semiconductors. With EUV lithography, TRUMPF, in partnership with ASML and Zeiss, has developed a cost-efficient and mass-suitable process, during which the wafers are exposed to extreme ultraviolet (EUV) light at a wavelength of 13,5 nanometers. By this means, efficiency and profitability of production for chip manufacturers are increased. TRUMPF produces the laser pulse for the process, which is needed for the generation of EUV radiation. Therefore we developed an own, pulse-capable high-performance CO2 laser system – the TRUMPF Laser Amplifier.
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Mit der zunehmenden Digitalisierung der Welt steigen die Anforderungen an die Computerleistung unaufhörlich. Die Folge: Die Chips müssen leistungsfähiger und kleiner werden, weshalb auf den Halbleitern immer mehr Transistoren Platz finden müssen. Mit der EUV-Lithografie hat TRUMPF partnerschaftlich mit ASML und Zeiss ein kosteneffizientes und massenfähiges Verfahren entwickelt, bei dem durch extrem ultraviolettes (EUV-) Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern die Wafer belichtet werden. Für die Chiphersteller erhöhen sich auf diese Weise die Effizienz und Wirtschaftlichkeit ihrer Produktion. TRUMPF erzeugt für den Prozess den Laserpuls, der für die Generierung der EUV-Strahlung benötigt werden. Hierfür hat das Unternehmen ein eigenes pulsfähigen Höchstleistungs-CO2-Lasersystem entwickelt - den TRUMPF Laser Amplifier.
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